中国科学院微电子研究所孔真真获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478988.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;任宇辉设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法先在虚拟衬底层上依次层叠形成至少一个叠层，每个叠层为采用高低温外延生长工艺先后形成的低温外延层和高温外延层，通过低温外延层来释放应变，使得含锗或和含硅材料中的大部分位错和缺陷被限制在低温外延层。利用含锗或和含硅材料的热膨胀系数在高低温生长过程中因温度变化导致不同的膨胀收缩比较大的特质，制备出张应变的叠层，利用低温外延层和高温外延层的刻蚀选择比不同，选择性刻蚀掉容纳位错质量较差的部分低温外延层，获得由支撑结构支撑的张应变的高温外延层，使形成的张应变的高温外延层具有更高的载流子迁移率优点，利于制备高载流子迁移率的发光器件和MOS器件。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一基底； 在所述基底上形成虚拟衬底层； 在所述虚拟衬底层上依次层叠形成至少一个叠层；其中，形成每个叠层包括：先低温外延生长低温外延层，后高温外延生长高温外延层，且所述低温外延层和高温外延层的材料均为含锗或和含硅材料； 根据每个叠层中低温外延层和高温外延层的刻蚀选择比不同，选择性刻蚀掉每个叠层中的部分低温外延层，保留在每个叠层中剩余的部分低温外延层作为支撑结构； 其中，所述低温外延层的生长温度为200℃~450℃；所述高温外延层的生长温度为450℃~950℃。
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