福建省晋华集成电路有限公司吴淑贤获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211634940.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由吴淑贤;汤辉煌设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、存储节点焊盘、电容结构、以及支撑结构。存储节点焊盘设置在衬底上。电容结构设置在存储节点焊盘上，包括多个电容，由下而上包括底电极层、电容电介质层与顶电极层，其中，底电极层的顶部具有一凹槽。支撑结构由下而上包括多个第一支撑层和多个第二支撑层，连接两相邻的电容，其中，凹槽分别朝向各个第二支撑层。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括: 衬底； 多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上； 电容结构，设置在所述存储节点焊盘上，所述电容结构包括多个电容，各所述电容由下而上包括底电极层、电容电介质层与顶电极层，所述底电极层的顶部具有一凹槽；以及 支撑结构，由下而上包括多个第一支撑层和多个第二支撑层，连接两相邻的所述电容，其中，所述凹槽分别朝向各所述第二支撑层； 其中，所述底电极层包括位于同一存储节点焊盘上的第一部分以及第二部分，所述第一部分与所述支撑结构直接接触，所述第二部分与所述支撑结构彼此隔离，所述凹槽位于相邻所述第二部分彼此背对的一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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