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中国工程物理研究院激光聚变研究中心陶朝友获国家专利权

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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种毫米尺度微球内氘冰壳层的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116110618B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310115081.9,技术领域涉及:G21B1/19;该发明授权一种毫米尺度微球内氘冰壳层的制备方法是由陶朝友;代飞;王凯;林伟;陈冠华;梁榉曦;黎军;刘喜川设计研发完成,并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种毫米尺度微球内氘冰壳层的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种毫米尺度微球内氘冰壳层的制备方法,所述方法基于冷冻靶装置实现,将靶丸通过氘气充气管悬挂在冷冻靶装置套筒的中心,通过温度和压力的控制先将靶丸内气态氘转换为液态氘,再转变为多晶固态氘;再在上下硅冷却臂施加温度梯度,将靶丸南半球的多晶固态氘升华并凝华至北半球形成相对均匀的氘冰层;将上下硅冷却臂的温度同时升至氘冰层的熔点温度,在靶丸内表面形成固液共存的氘层。本发明方法能够在靶丸内形成光滑、均匀的高质量的固液共存氘层,得到的氘层的平均厚度为35.9μm,厚度PV值为4.02μm,内表面粗糙度为1.0μm,大大提高了靶丸内氘层的均匀度和光滑度。

本发明授权一种毫米尺度微球内氘冰壳层的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种毫米尺度微球内氘冰壳层的制备方法,其特征在于,具体为:所述方法基于冷冻靶装置实现,将靶丸通过氘气充气管悬挂在冷冻靶装置套筒的中心,通过温度和压力的控制先将靶丸内气态氘转换为液态氘,再转变为多晶固态氘;再在上下硅冷却臂施加温度梯度,将靶丸南半球的多晶固态氘升华并凝华至北半球形成相对均匀的氘冰层;将上下硅冷却臂的温度同时升至氘冰层的熔点温度,在靶丸内表面形成固液共存的氘层;在上下硅冷却臂施加温度梯度时,上下硅冷却臂温度均低于氘冰的熔点温度,下硅冷却臂温度高于上硅冷却臂;所述上下硅冷却臂温度梯度为0.1K~1.5K。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国工程物理研究院激光聚变研究中心,其通讯地址为:621999 四川省绵阳市游仙区科学城919信箱987分箱;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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