株式会社斯库林集团根来世获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社斯库林集团申请的专利基板处理方法以及基板处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116097406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180053024.1,技术领域涉及:H10P50/64;该发明授权基板处理方法以及基板处理装置是由根来世;小林健司设计研发完成,并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法以及基板处理装置在说明书摘要公布了:通过将碱性的第1蚀刻液供应给基板,而对表示单晶硅与多晶硅中的至少一者的蚀刻对象物施行蚀刻。在将第1蚀刻液供应给基板前或供应后,将碱性的第2蚀刻液供应给基板,而对蚀刻对象物施行蚀刻;该第2蚀刻液含有阻碍氢氧化物离子与蚀刻对象物接触的化合物,且对硅的110面、100面、及111面的蚀刻速度的最大值与最小值差比第1蚀刻液小,蚀刻速度的最大值比第1蚀刻液小。
本发明授权基板处理方法以及基板处理装置在权利要求书中公布了:1.一种基板处理方法,对含有表示单晶硅与多晶硅中的至少一者的蚀刻对象物的基板进行处理,包括: 第1蚀刻步骤,通过将碱性的第1蚀刻液供应给上述基板,而对上述蚀刻对象物施行蚀刻;以及 第2蚀刻步骤,在上述第1蚀刻液供应给上述基板之前或供应后,通过将碱性的第2蚀刻液供应给上述基板,而对上述蚀刻对象物施行蚀刻,该第2蚀刻液含有会阻碍氢氧化物离子与上述蚀刻对象物接触的化合物,且对硅的110面、100面、及111面的蚀刻速度的最大值与最小值差比上述第1蚀刻液小,上述蚀刻速度的上述最大值比上述第1蚀刻液小, 上述第1蚀刻液是含有上述化合物的碱性的蚀刻液; 上述第1蚀刻液与第2蚀刻液在成分、浓度及温度中的至少一项上互异。
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