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龙图腾网获悉华源智信半导体(深圳)有限公司申请的专利D型氮化镓开关驱动电路以及开关电源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116094292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310160546.2，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权D型氮化镓开关驱动电路以及开关电源电路是由肖海斌;郭春明;张程龙;覃敏贵设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本D型氮化镓开关驱动电路以及开关电源电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种D型氮化镓开关驱动电路以及开关电源电路，通过D型氮化镓开关的漏极接第一电压，其源极分别耦接至开关模块的第一端以及第一电容的第一端，其栅极耦接至第一控制模块的第一端，第一控制模块的第二端耦接至第一电容的第二端，第二控制模块耦接至开关模块的控制端，第一电容的第二端以及开关模块的第三端接地的方式，使得第二控制模块输出控制信号控制开关模块的导通与关断，进而控制D型氮化镓开关的导通与关断，同时通过第一控制模块独立调节D型氮化镓开关的开通速度，较低的开通速度可以降低后续电路的电压应力，改善EMI特性。

本发明授权D型氮化镓开关驱动电路以及开关电源电路在权利要求书中公布了：1.一种D型氮化镓开关驱动电路，其特征在于，包括：D型氮化镓开关、第一控制模块、第二控制模块、第一电容、采样模块以及开关模块；其中： 所述D型氮化镓开关的漏极接第一电压，所述D型氮化镓开关的源极分别耦接至所述开关模块的第一端以及所述第一电容的第一端，其栅极耦接至所述第一控制模块的第一端，所述第一控制模块的第二端耦接至所述第一电容的第二端，所述第二控制模块耦接至所述开关模块的控制端，所述第一电容的第二端以及所述开关模块的第三端接地； 所述第二控制模块用于输出控制信号，控制所述开关模块的导通与关断，以控制所述D型氮化镓开关的导通与关断； 所述第一控制模块用于调节所述D型氮化镓开关的开通速度； 所述开关模块为第一NMOS开关管，所述第一NMOS开关管的漏极耦接至所述D型氮化镓开关的源极，其栅极耦接至所述第二控制模块，其源极接地； 所述采样模块包括电流检测电阻以及第二NMOS开关管； 所述第二控制模块的第一端分别耦接至所述第二NMOS开关管的栅极以及所述第一NMOS开关管的栅极，其第二端耦接至所述第二NMOS开关管的漏极，其第三端耦接至所述电流检测电阻的第一端，其第四端耦接至所述第一NMOS开关管的漏极，其第五端接地；所述电流检测电阻的第二端以及所述第二NMOS开关管的源极分别接地。

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