中国科学院物理研究所胡勇胜获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利氟离子和/或空位掺杂的钠电池正极材料及制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116031395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111243517.X,技术领域涉及:H01M4/505;该发明授权氟离子和/或空位掺杂的钠电池正极材料及制备方法和应用是由胡勇胜;丁飞翔;王海波;容晓晖;戚兴国设计研发完成,并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本氟离子和/或空位掺杂的钠电池正极材料及制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种氟离子和或空位掺杂的钠电池正极材料及制备方法和应用。该钠离子电池正极材料中存在部分氟离子和或空位占据氧位替代氧离子,过渡金属位的离子与邻近的六个氧和或氟和或空位形成八面体结构,并与八面体配位的钠离子层交替排列,构成空间群为R‑3m的O3型层状氧化物材料;该正极材料的化学通式为:NaxxMaaCubbFeccMndd02‑e2‑eFe1e1□e2e2;其中,Cu、Fe、Mn为过渡金属元素,M为对过渡金属位掺杂取代的离子和或空位,F为负一价氟离子,□为占据氧位的空位;0.76≤x≤1,0<a≤0.5,0<b≤0.4,0≤c≤0.4,0.1≤d≤0.6,0<e≤0.1,e=e1+e2;氟离子和或空位对氧位的掺杂能提高正极材料在充放电过程中的结构稳定性和本征的离子传导及电子传导,并在材料颗粒表面原位诱导形成过渡金属氧化物的包覆层。
本发明授权氟离子和/或空位掺杂的钠电池正极材料及制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种氟离子掺杂或氟离子及空位掺杂的钠离子电池正极材料,其特征在于,所述氟离子掺杂或氟离子及空位掺杂的钠离子电池正极材料中存在部分氟离子或氟离子及空位占据氧位替代氧离子,过渡金属位的离子与邻近的六个氧和或氟和或空位形成八面体结构,并与八面体配位的钠离子层交替排列,构成空间群为R-3m的O3型层状氧化物材料; 所述钠离子电池正极材料的化学通式为:NaxMaCubFecMnd02-eFe1□e2;其中,Cu、Fe、Mn为过渡金属元素,M为对过渡金属位掺杂取代的离子,F为负一价氟离子,□为占据氧位的空位;0.76≤x≤1,0<a≤0.5,0<b≤0.4,0<c≤0.4,0.1≤d≤0.6,0<e≤0.1,e=e1+e2; 所述氟离子或氟离子及空位对氧位的掺杂用于提高钠离子电池正极材料在充放电过程中的结构稳定性和本征的离子传导及电子传导,并在材料颗粒表面原位诱导形成过渡金属氧化物的包覆层;所述过渡金属氧化物包括氧化铜或氧化镍; 所述对过渡金属位掺杂取代的离子具体包括:Li+、Mg2+、Ca2+、Ni2+、Zn2+、Ba2+、Ni3+、Al3+、B3+、Cr3+、Co3+、V3+、Y3+、Ti4+、Zr4+、Sn4+、Si4+、Mo4+、Nb5+、Sb5+、Mo5+、Te6+中的一种或多种。
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