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联华电子股份有限公司蔡宗洵获国家专利权

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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利一种制作半导体元件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115910924B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110987039.7,技术领域涉及:H10D84/03;该发明授权一种制作半导体元件的方法是由蔡宗洵设计研发完成,并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种制作半导体元件的方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种制作半导体元件的方法,其主要先提供一基底包含第一区域、第二区域以及第三区域,然后形成一第一栅极氧化层于该第一区域、该第二区域以及该第三区域,再同时进行一蚀刻制作工艺以及一红外线处理制作工艺去除第二区域上的第一栅极氧化层并暴露出基底。

本发明授权一种制作半导体元件的方法在权利要求书中公布了:1.一种制作半导体元件的方法,其特征在于,包含: 提供基底包含第一区域、第二区域以及第三区域; 形成第一栅极氧化层于该第一区域、该第二区域以及该第三区域; 形成图案化掩模于该第一区域和该第三区域上,该图案化掩模存在高电荷;以及 同时进行蚀刻制作工艺以及红外线处理制作工艺去除该第二区域上的该第一栅极氧化层并释放累积的电荷。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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