绍兴中芯集成电路制造股份有限公司阚志国获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211493315.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法是由阚志国;何云;丛茂杰设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该制备方法中，通过氧化屏蔽电极的凸出部以形成第一隔离层，并进一步利用预定条件下具有流动性的绝缘材料对第一隔离层和第二介质层之间的间隙进行填充，不仅可以填充间隙内的尖角形状的空隙，防止栅电极的底部产生夹角结构，并且还能够补偿隔离层的厚度，提高栅电极和屏蔽电极之间的隔离效果，进而降低器件的漏电流现象，提高器件的可靠性。
本发明授权屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有沟槽，并形成第一介质层在所述沟槽的底部和侧壁上； 形成屏蔽电极在所述第一介质层上，并使所述屏蔽电极低于所述沟槽的顶部，所述屏蔽电极的材料包括多晶硅； 刻蚀所述第一介质层，以去除所述第一介质层中高于所述屏蔽电极的部分，并使所述屏蔽电极的顶部凸出于刻蚀后的第一介质层的顶部； 氧化所述沟槽位于所述第一介质层上方的侧壁以及所述屏蔽电极的凸出部，以形成牺牲氧化层，再去除所述牺牲氧化层； 执行氧化工艺，以形成第二介质层在所述沟槽高于第一介质层的侧壁上，并氧化所述屏蔽电极的凸出部以形成第一隔离层，所述第一隔离层和第二介质层之间具有间隙； 形成第二隔离层，所述第二隔离层的材料在预定条件下具有流动性以至少填充所述间隙的底部，所述第二隔离层暴露出覆盖在所述沟槽高于第一介质层的侧壁上的所述第二介质层；以及， 形成栅电极在所述沟槽内，所述栅电极位于所述第一隔离层和所述第二隔离层上，覆盖在所述沟槽高于第一介质层的侧壁上的所述第二介质层介于所述栅电极的侧壁与所述衬底之间。
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