上海天马微电子有限公司刘操获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天马微电子有限公司申请的专利一种LED弱化结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211328124.3，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权一种LED弱化结构及其制备方法是由刘操;陈营营;刘晓莉设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED弱化结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED弱化结构及其制备方法。LED弱化结构包括：衬底；辅助层，位于衬底一侧，辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽；多个LED单元，位于辅助层远离衬底一侧，LED单元位于凹槽内，且与凹槽的表面不接触；相邻LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于衬底方向，连接结构与辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触。通过在LED单元转移过程中，设置辅助结构与相邻LED单元之间的连接结构相接触，控制连接结构断裂，同时减少连接结构的残留，提高LED单元转移的良率。
本发明授权一种LED弱化结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED弱化结构，其特征在于，包括： 衬底； 辅助层，位于所述衬底一侧，所述辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽； 多个LED单元，位于所述辅助层远离所述衬底一侧，所述LED单元位于所述凹槽内，且与所述凹槽的表面不接触； 相邻所述LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于所述衬底方向，所述连接结构与所述辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触； 所述连接结构设置有至少一个镂空结构，沿垂直于所述衬底方向，所述镂空结构与所述辅助结构错开设置； 所述镂空结构包括位于所述辅助结构与所述LED单元之间的多个子镂空结构； 沿所述辅助结构指向所述LED单元的方向，单位面积内，所述子镂空结构的覆盖面积之和逐渐增加。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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