中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏博获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111155644.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏博;于海龙;吴汉洙设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在所述衬底上形成绝缘介质层、位于部分所述绝缘介质层表面的若干初始复合层、横跨所述初始复合层的伪栅极结构，所述初始复合层沿第一方向延伸，所述伪栅极结构两侧的初始复合层内的第一开口，所述第一开口暴露出所述绝缘介质层，所述伪栅极结构位于所述初始复合层侧壁和顶部表面，所述伪栅极结构包括伪栅极层，所述初始复合层包括若干层垂直重叠的沟道层、位于相邻两层沟道层之间的牺牲层；采用选择性外延生长工艺在所述第一开口侧壁的沟道层表面形成源漏层，直至所述源漏层覆盖所述第一开口侧壁，且相邻源漏层之间具有暴露出所述绝缘介质层的第三开口；在所述第三开口内形成导电结构，提高了器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括: 衬底； 位于所述衬底上的绝缘介质层、位于部分所述绝缘介质层表面的若干复合层，所述复合层沿第一方向延伸，所述复合层内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述绝缘介质层，所述复合层包括若干层垂直重叠的沟道层以及位于相邻两层沟道层之间的第二开口，所述第二开口使相邻的所述沟道层之间悬空； 栅极结构，位于所述沟道层表面且环形包围所述沟道层； 所述复合层还包括内侧墙，所述内侧墙位于相邻两层沟道层之间且位于所述第二开口侧壁，所述内侧墙的外侧壁与所述沟道层侧壁共垂直面； 位于所述第一开口侧壁的沟道层表面的源漏层，所述源漏层覆盖所述第一开口侧壁，且沿所述第一方向上相邻沟道层侧壁的所述源漏层相互分立，相邻源漏层之间具有暴露出所述绝缘介质层的第三开口； 位于所述第三开口内的导电结构，所述导电结构包裹所述源漏层，且所述导电结构为所述沟道层提供压应力。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励