北京科技大学张跃获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种二维阻变存储器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211721068.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种二维阻变存储器及制备方法是由张跃;张智诚;廖庆亮;赵璇;赵斌设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维阻变存储器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种二维阻变存储器及制备方法，包括：衬底、底电极、第一电阻变化层、第二电阻变化层、顶电极，自下到上依次固定排列；其中，所述第一电阻变化层和第二电阻变化层的材料分别是二维MoS2‑x2‑xOxx和MoO33，第一阻变层与第二阻变层的氧浓度差为氧离子迁移提供便利，顶电极与第二电阻变化层界面氧化层提供氧离子源。采用本发明的技术方案，解决了现有阻变存储器开关比小、功耗高的问题。
本发明授权一种二维阻变存储器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维阻变存储器，其特征在于，包括：衬底、底电极、第一电阻变化层、第二电阻变化层、顶电极，自下到上依次固定排列；其中，所述第一电阻变化层和第二电阻变化层的材料分别是二维MoS2-xOx和MoO3，第一阻变层与第二阻变层的氧浓度差为氧离子迁移提供便利；所述第二电阻变化层的电阻高于第一电阻变化层，且所述第一电阻变化层具有半导体属性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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