中国科学院微电子研究所张青竹获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种光电探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211491362.6，技术领域涉及：H10F77/122；该发明授权一种光电探测器及其制造方法是由张青竹;韩燕楚;刘阳;曹磊;姚佳欣;张亚东;桑冠荞;张兆浩;殷华湘设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光电探测器及其制造方法，在目标衬底上形成有多层光电探测膜层，光电探测膜层包括依次层叠的第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层，第一类型掺杂和第二类型掺杂中的其中一个为P型掺杂，另一个为N型掺杂，也就是说，第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层构成了一个基于硅锗硅异质结的光电探测膜层，即构成了一个光电探测单元，能够实现光电转化，多层光电探测膜层重复交叠，即多个光电探测单元的垂直串联，能够直接提高光电探测器的光电转化效率，并且不同数量的光电探测膜层也能对应不同的光生电动势，实现对于光电探测器光生电动势的调控需求。
本发明授权一种光电探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括： 在目标衬底上形成有多层光电探测膜层； 所述光电探测膜层包括依次层叠的第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层； 所述第一类型掺杂和所述第二类型掺杂中的其中一个为P型掺杂，另一个为N型掺杂，所述第二膜层的材料为硅锗，所述第一膜层和所述第三膜层的材料至少包括硅；所述第一膜层为P型掺杂的硅或N型掺杂的硅，所述第二膜层为P型掺杂的硅或N型掺杂的硅；P型掺杂或N型掺杂的离子浓度范围为1E19-1E22，相邻的P型掺杂与N型掺杂形成欧姆接触；所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层构成一个基于硅锗硅异质结的光电探测膜，作为一个光电探测单元。
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