华为技术有限公司桂成程获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利光耦合器、光芯片和光通信设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115808736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111552746.X，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权光耦合器、光芯片和光通信设备是由桂成程;曾成;夏金松;宋小鹿设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本光耦合器、光芯片和光通信设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光耦合器，应用于光通信领域。光耦合器包括掩埋层、支撑层、波导层和上包层。在高度方向上，支撑层在掩埋层和波导层之间。波导层在支撑层和上包层之间。在宽度方向上，波导层和支撑层位于上包层内部。波导层和支撑层的材料不同。本申请中，支撑层在上包层内部。因此，支撑层两侧包括上包层。光信号的能量可以分散在支撑层的两侧，从而降低波导层中心附近的能量分布不均的程度，降低光耦合器的耦合损耗。
本发明授权光耦合器、光芯片和光通信设备在权利要求书中公布了：1.一种光耦合器，其特征在于，包括： 掩埋层、支撑层、波导层和上包层； 其中，在高度方向上，所述支撑层在所述掩埋层和所述波导层之间，所述波导层在所述支撑层和所述上包层之间； 在宽度方向上，所述波导层和所述支撑层位于所述上包层内部，所述波导层和所述支撑层的材料不同； 所述波导层包括上波导层和下波导层，所述上波导层和所述下波导层用于在高度方向上扩大沿传输正方向传输的光信号的模斑，所述下波导层在所述支撑层和所述上波导层之间；在宽度方向上，所述下波导层的宽度大于所述上波导层的宽度；在传输方向上，所述下波导层在所述掩埋层上的投影和所述支撑层在所述掩埋层上的投影重合； 所述上波导层包括第一部分和第二部分，在传输方向上，所述第一部分为矩形结构，所述第二部分为梯形结构； 在传输方向上，所述下波导层包括第三端面和第四端面，所述第三端面的宽度大于所述第四端面的宽度，所述下波导层为梯形结构； 在高度方向上，所述支撑层在所述掩埋层和所述波导层之间，所述支撑层的宽度小于所述掩埋层的宽度，所述波导层的宽度小于所述掩埋层的宽度，所述支撑层和所述掩埋层通过同一材料层蚀刻得到。
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