买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利回收再利用REBCO块材中间层晶体生长超导块材的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115787088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211513636.7，技术领域涉及：C30B29/22；该发明授权回收再利用REBCO块材中间层晶体生长超导块材的方法是由姚忻;朱彦涵设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本回收再利用REBCO块材中间层晶体生长超导块材的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种回收再利用REBCO块材中间层晶体生长超导块材的方法，涉及超导材料再生长回收方法技术领域。本发明通过配制RE123和RE211的原始粉末，烧结后按比例与CeO22配料，压制后，加入从已生长的带中间层的REBCO块材上剥离下的中间层晶体，将其侧面和下表面用细砂纸打磨抛光平整后，放置在REBCO块材前驱体的上表面的中心处；在生长炉中进行顶部籽晶熔融织构法生长，制得REBCO高温超导块材。本发明的方法实现了“卡脖子”产品薄膜籽晶的部分替代，且其诱导生长的样品展现出与薄膜籽晶诱导下相近的性能。

本发明授权回收再利用REBCO块材中间层晶体生长超导块材的方法在权利要求书中公布了：1.一种回收再利用REBCO熔融法生长后的中间层晶体生长超导块材的方法，包括如下工序： 1按照RE:Ba:Cu=1:2:3和RE:Ba:Cu=2:1:1的比例，称取RE2O3、BaCO3和CuO粉末，分别配制成RE123和RE211的原始粉末； 2将原始粉料充分混合均匀，在空气环境下890-910℃烧结40-50小时，再次研磨、烧结，重复三次，分别得到RE123和RE211纯相粉末； 3将1molRE123纯相粉末和0.3molRE211纯相粉末与CeO2配料，混合得到前驱粉料； 4将所述前驱粉料称量、放入模具，压制成具有圆柱形状的前驱体； 5从已生长的带中间层的REBCO块材上剥离下中间层晶体及最初膜籽晶的MgO基底； 6将所得REBCO中间层晶体的侧面和下表面用细砂纸打磨抛光平整，并放置在REBCO块材前驱体的上表面的中心处； 7将放置好的整个前驱体置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构法生长，制得中间层晶体诱导的REBCO高温超导块材，其中，生长炉的具体温度程序为： a、从室温开始经过4h升温至900℃，保温4h； b、继续加热1h，升温至REBCO材料熔点以上10-15K，保温45min； c、在6min内，快速降温至所述REBCO材料熔点； d、以0.3~0.6Kh的冷速缓慢降温生长100h； e、在4h内随炉快速冷却。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海交通大学，其通讯地址为：200240 上海市闵行区东川路800号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。