买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211494395.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置是由赵梦;王利忠;周天民;黄睿;童彬彬;宁策;吴昊;关峰;杜建华;张劲潮;吕杨;王超璐;阎睿;杨维设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括：第一极，位于基底上侧；第一绝缘层，位于第一极的上侧；凸起结构，位于第一绝缘层上侧，并沿第一方向延伸；有源层，位于凸起结构的上侧，包括第一导体化区域、第二导体化区域以及的沟道，沟道沿第二方向跨越凸起结构，第一导体化区域与第一极连接；第二绝缘层，位于有源层上侧；栅极，位于第二绝缘层的上侧，沟道在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影的范围内；第三绝缘层，位于栅极的上侧；第二极，位于第三绝缘层的上侧，第二极与第二导体化区域连接。本公开的技术方案，可以增加沟道的长度，降低短沟道效应。

本发明授权薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 基底； 第一极，位于所述基底的一侧； 第一绝缘层，位于所述第一极的背离所述基底的一侧； 凸起结构，位于所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧，所述凸起结构沿第一方向延伸；所述凸起结构的材质包括SOG或者黑色有机材料； 有源层，位于所述凸起结构的背离所述基底的一侧，所述有源层包括第一导体化区域、第二导体化区域以及位于所述第一导体化区域和所述第二导体化区域之间的沟道，所述沟道沿第二方向跨越所述凸起结构，所述第一导体化区域通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第一极连接，所述第二方向与所述第一方向相交；所述凸起结构在所述基底上的正投影在所述第一方向上跨越所述有源层在所述基底上的正投影； 第二绝缘层，位于所述有源层的背离所述基底的一侧； 栅极，位于所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧，所述沟道在所述基底上的正投影位于所述栅极在所述基底上的正投影的范围内； 第三绝缘层，位于所述栅极的背离所述基底的一侧； 第二极，位于所述第三绝缘层的背离所述基底的一侧，所述第二极通过贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二过孔与所述第二导体化区域连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方科技集团股份有限公司，其通讯地址为：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。