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龙图腾网获悉晶瑞光电股份有限公司申请的专利UV、R、G、B、IR之任意组合滤光结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115728852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210940449.0，技术领域涉及：G02B5/20；该发明授权UV、R、G、B、IR之任意组合滤光结构及制作方法是由邹政兴;郑暐皞;倪培元设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本UV、R、G、B、IR之任意组合滤光结构及制作方法在说明书摘要公布了：一种UV、R、G、B、IR之任意组合滤光结构及制作方法，其包括一基板及一滤光层，该基板为晶圆半导体感测元件或透光元件的产品，该滤光层形成于该基板的一侧面，由矩阵排列的复数基本单元所组成，每一基本单元包含由真空镀膜方式形成的复数像素滤光膜，该复数像素滤光膜包含UV像素滤光膜、R像素滤光膜、G像素滤光膜、B像素滤光膜或IR像素滤光膜中的任意组合，且使该复数像素滤光膜仅只能供相对应波长的光线通过，其制作方法是利用光阻屏蔽与真空镀膜的配合形成；由此可使滤光薄膜均匀性较佳，以及提供更广域的波段，以形成更多不同波长的图像，使具有更高敏感的分辨率而符合光学的规格需求。

本发明授权UV、R、G、B、IR之任意组合滤光结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种UV、R、G、B、IR之任意组合滤光结构，其特征在于，其包括： 一基板，为晶圆半导体感测元件或透光元件的产品中的任一种；以及 一滤光层，形成于该基板的一侧面，由矩阵排列的数个基本单元所组成，每一基本单元包含由真空镀膜方式形成的数个像素滤光膜，该像素滤光膜包含一UV像素滤光膜、一R像素滤光膜、一G像素滤光膜、一B像素滤光膜及一IR像素滤光膜中的任意组合，使该像素滤光膜仅只能供相对应波长的光线通过； 所述UV像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm波长范围内形成一通带，该通带中心波长在300nm至400nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0°时透过率大于50%，其截止带透过率平均低于1%； 该R像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm波长范围内形成一通带，该通带中心波长在580nm至740nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0°时透过率大于55%，其截止带透过率低于1%； 该G像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该通带中心波长在500nm至565nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0°时透过率大于55%，其截止带透过率低于1%； 该B像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成的一通带，该通带中心波长在400nm至500nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0°时透过率大于55%，其截止带透过率低于1%； 该IR像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成的一通带，该中心波长在红外800nm至1100nm之波长范围内仅一部份或部分重叠形成一通带，其余截止带透过率低于1%，该通带的中心波长在入射角于0°时透过率大于30%。

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