思特威(上海)电子科技股份有限公司郭同辉获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利光电转换元件、像素、飞行时间传感器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115728741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111014253.0，技术领域涉及：G01S7/481；该发明授权光电转换元件、像素、飞行时间传感器及电子设备是由郭同辉设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电转换元件、像素、飞行时间传感器及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电转换元件、像素、飞行时间传感器及电子设备，光电转换元件包括：衬底；光电转换区，布置于衬底中；电荷收集区，布置衬底中，且与光电转换区相邻设置；第一导流层，自衬底表面延伸至光电转换区内部；第二导流层，设置于衬底表面，第二导流层与第一导流层连接并延伸至电荷收集区；以及电隔离层，设置于第一导流层和衬底之间的界面和第二导流层与衬底之间的界面。本发明可以有效提升光电转换元件产生的光电电荷的传输效率，改善传感器的解调对比度性能，有效提高飞行时间传感器的时间精度和测距质量。
本发明授权光电转换元件、像素、飞行时间传感器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光电转换元件，其特征在于，所述光电转换元件包括： 衬底； 光电转换区，布置于所述衬底中； 电荷收集区，布置所述衬底中，且与所述光电转换区相邻设置； 第一导流层，自所述衬底表面延伸至所述光电转换区内部； 第二导流层，设置于所述衬底表面，所述第二导流层与所述第一导流层连接并延伸至所述电荷收集区； 电隔离层，设置于所述第一导流层和所述衬底之间的界面和所述第二导流层与所述衬底之间的界面； 所述第二导流层与所述第一导流层的上表面连接并沿水平方向延伸至所述电荷收集区； 给予所述第二导流层和所述第一导流层高电位以在所述电隔离层表层吸引光电电荷并形成导流区，并给予所述电荷收集区更高的电位，以使所述光电电荷沿所述导流区传输至所述电荷收集区。
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