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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210925476.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权场效应晶体管及其制造方法是由斋藤顺;辻村理俊设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：场效应晶体管包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底的顶表面处的多个沟槽。所述沟槽在所述半导体衬底的顶表面处沿第一方向延伸，并且设置为在垂直于所述第一方向的方向上间隔开。连接区设置在主体区下方。在所述半导体衬底的俯视图中，所述连接区在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且在垂直于所述第二方向的方向上间隔开。场弛豫区设置在所述连接区和所述沟槽下方。在所述半导体衬底的俯视图中，所述场弛豫区在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上延伸，并且在垂直于所述第三方向的方向上间隔开。

本发明授权场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，包括： 半导体衬底12； 设置在所述半导体衬底的顶表面处的多个沟槽14； 设置在每个所述沟槽中的栅极绝缘膜16； 设置在每个所述沟槽中的栅电极18；以及 覆盖所述半导体衬底的所述顶表面的源电极22， 其中，所述沟槽分别在所述顶表面处沿第一方向延伸，并且所述沟槽在垂直于所述第一方向的方向上间隔开， 其中，所述半导体衬底包括多个沟槽间半导体区26，并且每个所述沟槽间半导体区设置在所述沟槽的相邻两个沟槽之间， 其中，所述沟槽间半导体区分别包括多个源极区30、多个接触区32和多个主体区34， 其中，每个所述源极区是与所述源电极和所述栅极绝缘膜接触的n型， 其中，每个所述接触区是与所述源电极接触的p型， 其中，每个所述主体区是具有比每个所述接触区更低的p型杂质浓度的p型， 其中，每个所述主体区在比所述源极区更靠近所述半导体衬底的底表面的一侧与所述栅极绝缘膜接触，并且在比所述接触区和所述源极区更靠近所述半导体衬底的所述底表面的一侧与所述接触区中的对应一个和所述源极区中的对应一个接触， 其中，所述半导体衬底还包括： 多个连接区36，每个所述连接区36是p型的； 多个场弛豫区38，每个所述场弛豫区38是p型的；以及 n型的漂移区40， 其中，所述连接区设置在比所述主体区更靠近所述半导体衬底的所述底表面的一侧， 其中，所述连接区分别在所述半导体衬底的俯视图中在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且设置为在所述半导体衬底的所述俯视图中在垂直于所述第二方向的方向上间隔开， 其中，所述连接区在所述连接区分别与所述主体区相交的相交部分处连接到所述主体区， 其中，所述场弛豫区设置在比所述连接区和所述沟槽更靠近所述半导体衬底的所述底表面的一侧， 其中，所述场弛豫区在所述半导体衬底的所述俯视图中在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上延伸，并且设置为在所述半导体衬底的所述俯视图中在垂直于所述第三方向的方向上间隔开， 其中，所述场弛豫区在所述场弛豫区分别与所述连接区相交的相交部分处连接到所述连接区， 其中，所述漂移区设置在所述连接区的相邻两个连接区之间的第一间隔部分36x、所述场弛豫区的相邻两个场弛豫区之间的第二间隔部分38x以及比所述场弛豫区更靠近所述半导体衬底的所述底表面的位置， 其中，所述漂移区在比所述主体区更靠近所述半导体衬底的所述底表面的一侧与所述主体区接触，并且在比所述栅极绝缘膜更靠近所述半导体衬底的所述底表面的一侧与所述栅极绝缘膜接触，并且 其中，在所述半导体衬底的所述俯视图中，每个所述接触区在所述第二方向上延伸以与所述连接区中的对应一个重叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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