华芯智能(珠海)科技有限公司庄海涵获国家专利权
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龙图腾网获悉华芯智能(珠海)科技有限公司申请的专利一种MEMS传感器阶梯深孔封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115703630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110905474.0，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种MEMS传感器阶梯深孔封装结构及方法是由庄海涵;张晋雷;陈东华设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS传感器阶梯深孔封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS传感器阶梯深孔封装结构及方法，包括基板以及与所述基板固定连接的壳体，所述壳体内置有一芯片，所述芯片与所述基板固定连接，所述芯片背离所述壳体的一侧开设有孔洞，所述孔洞上设有第一焊盘，所述基板贯通开设有阶梯孔，所述阶梯孔通过定位工装与所述孔洞位置正对布置，所述阶梯孔设有第二焊盘，所述第一焊盘通过引线与所述第二焊盘电连接。本发明通过设置阶梯孔能够更好地释放封装带来的应力，达到了提升精度的目的，从而克服了传统打线均是在平面进行对产品精度产生的不良影响。
本发明授权一种MEMS传感器阶梯深孔封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS传感器阶梯深孔封装结构，其特征在于，包括基板1以及与所述基板1固定连接的壳体2，所述壳体2内置有一芯片3，所述芯片3与所述基板1固定连接，所述芯片3背离所述壳体2的一侧开设有孔洞4，所述孔洞4上设有第一焊盘5，所述基板1贯通开设有阶梯孔6，所述阶梯孔6通过定位工装7与所述孔洞4位置正对布置，所述阶梯孔6设有第二焊盘8，所述第一焊盘5通过引线9与所述第二焊盘8电连接，所述阶梯孔6包括第一开孔10和第二开孔11，所述第一开孔10面向所述芯片3一侧布置，所述第二开孔11远离所述芯片3一侧布置；所述第一开孔10的孔径尺寸小于第二开孔11的孔径尺寸。
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