三星电子株式会社朴报恩获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210423984.9，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置是由朴报恩;金容诚;宋政奎;李周浩设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。
本发明授权反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种反铁电薄膜结构，包括： 电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及 在所述电介质层中的插入层，所述插入层包括氧化物， 其中所述电介质层包括Hf1-xZrxO2，0.5≤x≤0.8， 其中所述插入层的厚度大于或等于所述反铁电薄膜结构的总厚度的5%且小于或等于所述总厚度的10%。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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