上海华虹宏力半导体制造有限公司林敏伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211316347.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管是由林敏伟;张凌越;姜波设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管，应用于半导体技术领域。具体的，在本发明提出了一种半导体结构的制备方法，通过在形成SGT结构的栅氧化层的过程中，将ISSG工艺和热氧化工艺结合，从而利用ISSG工艺和热氧化工艺各自形成氧化层的特性，从而在保证外延层EPI上生长氧化膜厚度不变的情况下，提高形成的SGT结构的栅氧化层在沟槽内的均匀性。
本发明授权半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有一第一沟槽，所述第一沟槽的下部空间的内表面上覆盖有屏蔽介质层，所述屏蔽介质层和半导体衬底包围形成第一容置空间； 在所述第一容置空间内形成屏蔽栅，并沿所述半导体衬底的上表面向上的方向继续延伸所述屏蔽栅，直至屏蔽栅的顶部与所述半导体衬底的上表面齐平，且在所述第一沟槽内的所述屏蔽栅的两侧分别形成一由所述半导体衬底、屏蔽介质层和屏蔽栅包围而成的第二容置空间； 在每一所述第二容置空间的内表面上依次形成堆叠的第一氧化层和第二氧化层，并将堆叠在一起的所述第一氧化层和第二氧化层作为所述半导体结构的栅氧化层； 其中，所述形成第一氧化层的工艺为ISSG工艺，所述形成所述第二氧化层的工艺为热氧化工艺。
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