联华电子股份有限公司赖建铭获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利用于晶片级接合的半导体结构及接合半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472494B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110652095.5，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权用于晶片级接合的半导体结构及接合半导体结构是由赖建铭设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于晶片级接合的半导体结构及接合半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于晶片级接合的半导体结构及接合半导体结构，其中该用于晶片级接合的半导体结构包括一接合介电层设置在一基底上，以及一接合垫设置在该接合介电层中。该接合垫包括一顶面，自该接合介电层显露出来且相对于该顶面的一底面，以及位于该顶面和该底面之间的一侧壁，其中该侧壁及该底面之间的一底角小于90度。
本发明授权用于晶片级接合的半导体结构及接合半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种用于晶片级接合的半导体结构，包括: 接合介电层，设置在一基底上；以及 接合垫，设置在该接合介电层中，其中该接合垫包括: 顶面，自该接合介电层显露出来，并且包括凹陷轮廓； 底面，相对于该顶面；以及 侧壁，位于该顶面及该底面之间，其中该侧壁及该底面之间的底角小于90度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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