上海华虹宏力半导体制造有限公司李昊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种沟槽栅超级结器件的栅引出结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320078.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽栅超级结器件的栅引出结构及其制备方法是由李昊设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽栅超级结器件的栅引出结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种沟槽栅超级结器件的栅引出结构的制备方法，在本发明提供的沟槽栅超级结器件的栅引出结构的制备方法中，本发明通过在引出所述源区与所述多晶硅栅极结构接触孔内填充与多晶硅栅极结构内同类型的掺杂多晶硅，分别在引出源区的接触孔的两个侧壁形成多晶硅间隔层PolySpacer，在引出栅极结构的接触孔内形成多晶硅插塞PolyPlug，工艺简单稳定，且使用功率产线现有的大规模产能。由于源极区域Source只有小范围的多晶硅间隔层PolySpacer，并不对NP与PP的接触产生明显影响，进而本发明能够在保证器件性能的基础上，大规模突破产能瓶颈。
本发明授权一种沟槽栅超级结器件的栅引出结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅超级结器件的栅引出结构，其特征在于，所述栅引出结构包括： 半导体衬底，所述半导体衬底形成有超级结结构； 沟槽栅结构，形成于所述半导体衬底内的超级结结构内； 源区，围绕沟槽栅的两侧； 层间介质层，形成于沟槽栅极和源极区域顶部表面； 接触孔，在所述层间介质层中形成贯穿所述层间介质层的源区的第一接触孔及沟槽栅极第二接触孔；其中，第一接触孔形成于两个源区之间，所述两个源区位于超级结构槽两侧，所述超级结构槽形成于半导体衬底的上表面形成的N型半导体外延层上； 多晶硅间隔层，位于源极区域第一接触孔的两个侧壁； 多晶硅插塞，位于沟槽栅极第二接触孔内； 形成多晶硅间隔层与多晶硅插塞的多晶硅为与所述沟槽栅内同型掺杂多晶硅；其中，所述引出源区的第一接触孔的尺寸大于2.5μm，所述引出沟槽栅极结构的第二接触孔的尺寸为0.05~1μm。
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