中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110207617.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件是由郭炳容;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该制造方法先在凸起结构图案上方位置的部分间隔材料层上形成覆盖在每个凸起结构上方的缓冲结构，之后刻蚀缓冲结构及间隔材料层，使相邻两个凸起结构之间的间隔材料层分离，以形成覆盖在每个凸起结构及上表面的间隔结构。由于增加了设置缓冲结构的步骤，在后续刻蚀间隔材料层，使间隔材料层进行分离形成间隔结构时，缓冲结构能够对凸起结构进行保护，防止由于对间隔材料层过刻蚀而损伤凸起结构。且使间隔结构不仅覆盖在凸起结构图案的两个侧壁上，还覆盖在凸起结构的上表面，提高间隔结构对位线图案或栅极图案的保护效果。
本发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一基底； 在所述基底上形成凸起结构图案，所述凸起结构图案包括多个间隔分布的凸起结构； 在所述基底的上表面、所述凸起结构图案的上表面及侧壁沉积间隔材料层； 在所述凸起结构图案上方位置的所述间隔材料层上形成覆盖在每个凸起结构上方的缓冲结构；所述缓冲结构包括：覆盖在每个凸起结构上表面的顶盖、以及与所述顶盖连接且位于每个凸起结构相对的两侧的边沿，所述边沿未完全覆盖所述凸起结构的侧壁，任意相邻的两个凸起结构上的所述缓冲结构的边沿之间具有间隙； 刻蚀所述缓冲结构及相邻的两个凸起结构之间的位于所述基底上的所述间隔材料层，形成仅覆盖在每个凸起结构的侧壁及上表面的间隔结构、以及至少覆盖每个间隔结构的上表面的残留缓冲结构； 刻蚀相邻的两个凸起结构之间的所述基底，以在所述基底上形成凹陷结构图案，同时所述残留缓冲结构能够对所述间隔结构以及所述凸起结构进行保护； 去除所述残留缓冲结构。
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