格芯(美国)集成电路科技有限公司安东尼·肯德尔·斯坦普获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利在第二电介质材料内具有器件的局部互连层及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210092833.X，技术领域涉及：H10W20/47；该发明授权在第二电介质材料内具有器件的局部互连层及相关方法是由安东尼·肯德尔·斯坦普;S·M·尚克;V·N·R·瓦努库鲁设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本在第二电介质材料内具有器件的局部互连层及相关方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种在第二电介质材料内具有器件的局部互连层及相关方法。本公开的实施例提供了一种集成电路IC结构，其包括：器件层，其包括位于衬底上的器件。局部互连层位于器件层上方，并且包括位于衬底上方的第一电介质材料。第一电介质材料具有第一有效介电常数。第二电介质材料位于器件上方并与第一电介质材料相邻。第二电介质材料具有小于第一有效介电常数的第二有效介电常数。
本发明授权在第二电介质材料内具有器件的局部互连层及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC结构，包括： 器件层，其包括位于衬底上的器件，其中所述器件包括与第二端相反的第一端；以及 位于所述器件层上方的局部互连层，所述局部互连层包括： 位于所述衬底上方并具有第一有效介电常数的第一电介质材料，以及 位于所述器件上方并与所述第一电介质材料相邻的第二电介质材料，所述第二电介质材料具有小于所述第一有效介电常数的第二有效介电常数， 其中，所述第二电介质材料包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有延伸到所述衬底内的深度并且横靠所述器件的所述第一端和所述第二端，以及所述第二部分是电介质柱。
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