中国长江三峡集团有限公司于傲获国家专利权
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龙图腾网获悉中国长江三峡集团有限公司申请的专利一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210366048.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器及其制备方法是由于傲;王方政;张亚平;汤鹏;周登科;史凯特;邹祖冰设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器及其制备方法其制备方法，包括依次层叠设置的衬底层SiSiO22、粘附层Ti、底电极层Pt、限流层SiO22、阻变层TaON和上电极层TiN。本发明提出了TiNTaONSiO2Pt结构的低SET、RESET瞬时功率的阻变存储器。将PECVD制备的SiO22作为限流层，防止阻变层形成厚的导电丝，阻止产生大电流。PECVD制备的SiO22含有较多的缺陷，电子可被注入SiO22薄膜内，SiO22薄膜中的缺陷可作为陷阱俘获电子，随着外加电场逐渐增强，这些被陷阱俘获的电子跃迁参与传导。
本发明授权一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器，其特征在于：包括依次层叠设置的衬底层、粘附层、底电极层、限流层、阻变层和上电极层； 衬底层材质为SiSiO2导体衬底，粘附层材质为Ti，底电极层材质为Pt，限流层的材质为使用SiH4和N2O，通过PECVD工艺制备的SiO2层60Å；阻变层材质为TaON，上电极层材质为TiN。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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