江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利改善位错缺陷的外延方法及其外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210427008.0，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权改善位错缺陷的外延方法及其外延片是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善位错缺陷的外延方法及其外延片在说明书摘要公布了：本发明提出一种改善位错缺陷的外延方法及外延片。所述外延方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底表面形成第一调制超晶格缓冲层，用于调节热失配；继续形成第二调制超晶格缓冲层，用于阻断位错；继续形成外延层。本发明通过依次衬底上方设置调节热失配和阻断位错的超晶格缓冲层，通过热膨胀系数调制和阻断位错，能够在衬底上方形成高质量外延层。
本发明授权改善位错缺陷的外延方法及其外延片在权利要求书中公布了：1.一种改善位错缺陷的外延方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 在衬底表面形成第一调制超晶格缓冲层，所述第一调制超晶格缓冲层是TiNSiC调制超晶格缓冲层，用于调节热失配，其中，所述TiNSiC调制超晶格缓冲层包括循环设置的TiN缓冲层与SiC缓冲层，所述TiN缓冲层用于对所述SiC缓冲层的热膨胀系数进行调制； 继续形成第二调制超晶格缓冲层，所述第二调制超晶格缓冲层是TiNSi3N4调制超晶格缓冲层，用于阻断位错，其中，所述TiNSi3N4调制超晶格缓冲层包括循环设置的TiN缓冲层与Si3N4缓冲层，所述Si3N4缓冲层为非晶态以形成对所述TiN缓冲层的包覆； 继续形成外延层。
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