京东方科技集团股份有限公司李栋获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种显示基板及其制作方法和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210373906.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种显示基板及其制作方法和显示装置是由李栋;宋尊庆;张慧娟;刘政设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示基板及其制作方法和显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括衬底以及设置于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括目标晶体管，所述目标晶体管包括第一栅极层、有源层和源漏金属层，其中，所述有源层包括层叠设置的低温多晶硅层和非晶硅层，所述非晶硅层位于所述低温多晶硅层和所述源漏金属层之间，且所述源漏金属层与所述非晶硅层接触。本发明实施例能够减少显示基板的工艺步骤，有助于降低显示基板的制作成本，提高显示基板的良品率。
本发明授权一种显示基板及其制作方法和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底以及设置于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括目标晶体管，所述目标晶体管包括第一栅极层、有源层和源漏金属层，其中，所述有源层包括层叠设置的低温多晶硅层和非晶硅层，所述非晶硅层位于所述低温多晶硅层和所述源漏金属层之间，且所述源漏金属层与所述非晶硅层接触； 所述多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述目标晶体管包括所述多个薄膜晶体管中除所述驱动晶体管之外的薄膜晶体管； 所述目标晶体管还包括第二栅极层，所述第一栅极层的部分形成所述目标晶体管的第一栅极，所述第二栅极层的部分形成所述目标晶体管的第二栅极； 其中，所述第一栅极层和所述源漏金属层位于所述有源层的同侧，所述第二栅极层位于所述有源层远离所述第一栅极层的一侧； 所述目标晶体管的第一栅极与固定信号端连接以获取固定正电位的第一控制信号； 在目标晶体管处于关闭状态时，第一栅极和第二栅极均为正电位。
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