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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192925.5，技术领域涉及：H10D64/66；该发明授权变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；沟槽区包括屏蔽栅、控制栅、绝缘层和金属栅极；屏蔽栅以及漂移区为变掺杂浓度结构，漂移区的掺杂浓度由上至下逐级递减，屏蔽栅的掺杂浓度由上至下逐级递减。当晶体管正向阻断时，第三级漂移区和沟槽区拐角处之间的电场被削弱。因此，本申请实施例所示的变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管能够平衡耐压层在基体区和漂移区交界面处的尖峰电场，使得电场峰值更加改善，达到提高了击穿电压以及降低了比导通电阻。

本发明授权变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、沟槽区5、漏极6以及源极7； 所述漂移区2与所述衬底区1相接，以所述衬底区1指向所述漂移区2的方向为上方，所述基体区3和所述源区4依次设置在所述漂移区2的上方；所述漂移区2为掺杂浓度由上至下逐渐减小的变掺杂浓度结构；所述漂移区2包括：第一级漂移区21、第二级漂移区22和第三级漂移区23；所述第一级漂移区21的掺杂浓度为高掺杂浓度，所述第二级漂移区22的掺杂浓度为中掺杂浓度，所述第三级漂移区23的掺杂浓度为低掺杂浓度； 所述沟槽区5设置在所述基体区3侧方，并分别与所述漂移区2、所述基体区3和所述源区4相接； 所述沟槽区5包括屏蔽栅51、控制栅52、绝缘层53和金属栅极；所述控制栅52和所述屏蔽栅51由上至下依次设置在所述沟槽区5内，且经所述绝缘层53分隔；所述控制栅52通过所述绝缘层53分别与所述基体区3和所述源区4相接，所述屏蔽栅51通过所述绝缘层53与所述漂移区2相接； 所述屏蔽栅51为掺杂浓度由上至下逐渐减少的变掺杂浓度结构； 所述源区4由N型源区41以及P型源区42组成；所述P型源区42、所述N型源区41以及所述沟槽区5沿所述基体区3的顶面依次排列，且所述N型源区41通过所述绝缘层53连接所述控制栅； 所述源极7设置于所述源区4上方。

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