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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111546789.7，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法是由M·德赖;G·卡塔拉诺设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法。半导体器件包括：具有围绕其布置的引线的支撑基底；在支撑基底上的半导体管芯；和模制到管芯和引线上的激光可激活材料层。引线包括面向支撑基底的近侧部分和背向支撑基底的远侧部分。半导体管芯包括在其与支撑基底相对的前表面处的接合焊盘，并且被布置到引线的近侧部分上。半导体器件具有在激光可激活材料的选定位置经激光结构化的导电结构。导电结构包括在接合焊盘与激光可激活材料的前表面之间延伸的第一过孔、在引线的远侧部分与激光可激活材料的前表面之间延伸的第二过孔、以及在激光可激活材料的前表面处延伸并且将所选择的第一过孔连接到所选择的第二过孔的线。

本发明授权引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 支撑基底； 导电引线，围绕所述支撑基底布置，所述导电引线包括面向所述支撑基底的相应近侧部分以及背向所述支撑基底的相应远侧部分； 半导体管芯，被布置在所述支撑基底上并且被布置在所述导电引线中的一个或多个导电引线的所述近侧部分上，所述半导体管芯包括在所述半导体管芯的、与所述支撑基底相对的前表面处的一组接合焊盘； 模制到所述半导体管芯和所述导电引线上的激光可激活材料层；以及 导电结构，其中所述导电结构包括： i第一导电过孔，在所述半导体管芯的所述前表面处的所述一组接合焊盘与所述激光可激活材料层的前表面之间延伸； ii第二导电过孔，在所述导电引线的所述远侧部分与所述激光可激活材料层的所述前表面之间延伸，其中所述第二导电过孔具有椭圆形横截面，所述椭圆形横截面具有次轴线和主轴线，所述次轴线在垂直于所述半导体管芯的相应侧壁的方向上延伸，所述主轴线在平行于所述半导体管芯的所述相应侧壁以及所述半导体管芯的所述前表面的方向上延伸；以及 iii导电线，在所述激光可激活材料层的所述前表面处延伸并且将所选择的第一导电过孔连接到所选择的第二导电过孔。

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