格芯(美国)集成电路科技有限公司A·杜塔获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有到含多个二极管结的阱的主体接触的集成电路(IC)结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111507604.1，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权具有到含多个二极管结的阱的主体接触的集成电路(IC)结构是由A·杜塔;V·N·R·瓦努库鲁;J·J·埃利斯-莫纳甘设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有到含多个二极管结的阱的主体接触的集成电路(IC)结构在说明书摘要公布了：本公开提供了具有到含多个二极管结的阱的主体接触的集成电路IC结构。第一掺杂阱位于衬底中。晶体管位于第一掺杂阱上。沟槽隔离TI与第一掺杂阱的一部分相邻。衬底内的第二掺杂阱具有位于第一掺杂阱的底表面下方的底表面。TI的侧壁在水平方向上邻接第二掺杂阱。第一二极管结位于第二掺杂阱和第一掺杂阱之间。第二二极管结位于第二掺杂阱和衬底之间。主体接触位于第二掺杂阱上。
本发明授权具有到含多个二极管结的阱的主体接触的集成电路(IC)结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC结构，包括： 位于衬底内的第一掺杂阱，所述第一掺杂阱具有第一掺杂类型； 位于所述第一掺杂阱上的晶体管结构； 位于所述第一掺杂阱内的第一掺杂剂扩展区，所述第一掺杂剂扩展区具有比所述第一掺杂阱的相邻部分浓度更高的所述第一掺杂类型； 与所述第一掺杂阱的一部分相邻的沟槽隔离TI；以及 位于所述衬底内并耦接到主体接触的第二掺杂阱，所述第二掺杂阱具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，其中所述TI的侧壁在水平方向上邻接所述第二掺杂阱，所述第二掺杂阱和所述第一掺杂阱之间的在竖直方向上的边界限定第一二极管结，并且所述第二掺杂阱和所述衬底之间的在竖直方向上的边界限定第二二极管结。
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