甬矽电子(宁波)股份有限公司白胜清获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利局部空腔封装结构和封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114551429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210282023.0,技术领域涉及:H10D80/30;该发明授权局部空腔封装结构和封装方法是由白胜清;陈泽设计研发完成,并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本局部空腔封装结构和封装方法在说明书摘要公布了:本发明的实施例提供了一种局部空腔封装结构和封装方法,涉及芯片封装技术领域。该局部空腔封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜,第一芯片和第二芯片间隔设于基板上,保护膜设有预切痕,第二芯片的外围设有穿刺件,保护膜铺设于基板上以罩设第一芯片和第二芯片;穿刺件凸设于基板上,且与预切痕对应设置。这样可以在第一芯片的底部形成封闭空腔结构,同时,穿刺件的设置有利于将第二芯片外围的保护膜刺破,从而在塑封时能让塑封体进入第二芯片底部。
本发明授权局部空腔封装结构和封装方法在权利要求书中公布了:1.一种局部空腔封装结构,其特征在于,包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜,所述第一芯片和所述第二芯片间隔设于所述基板上,所述保护膜设有预切痕,所述第二芯片的外围设有穿刺件,所述保护膜铺设于所述基板上以罩设所述第一芯片和第二芯片;所述穿刺件凸设于所述基板上,且与所述预切痕对应设置;所述基板上设有与所述第一芯片电连接的第一焊盘。
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