中国科学院半导体研究所骆军委获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210116157.5，技术领域涉及：H10D48/00；该发明授权空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法是由骆军委;熊嘉欣;刘洋;管闪;李树深设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法，该方法在传统锗量子阱结构的基础上在界面处插入了一个或多个硅原子层，能够获得一个数量级提升的空穴线性Rashba自旋劈裂。本发明还提供了一种超晶格势垒替代硅锗合金势垒构建锗量子阱的更优方案，该方案在界面量子阱方案的基础上能够继续提升几倍的空穴线性Rashba效应。本发明涉及的锗量子阱结构深度兼容CMOS工艺，获得一个数量级提升的空穴线性Rashba效应将为锗量子点自旋量子比特的快速操控提供全新的解决方案。
本发明授权空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法在权利要求书中公布了：1.一种空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底之上形成锗量子阱，其中，所述锗量子阱的势阱与势垒的界面处形成有硅原子层，其中，所述硅原子层包括一个或多个单原子层； 在所述衬底之上形成锗量子阱，包括： 在所述衬底之上形成第一合金层； 在所述第一合金层之上形成第一硅原子层，其中，所述第一硅原子层包括一个或多个单原子层； 在所述第一硅原子层之上形成锗层； 在所述锗层之上形成第二硅原子层，其中，所述第二硅原子层包括一个或多个单原子层； 在所述第二硅原子层之上形成第二合金层；或者 在所述衬底之上形成锗量子阱，包括： 在所述衬底之上形成第一硅锗超晶格，其中，所述第一硅锗超晶格中包括一个或多个硅原子层，所述硅原子层包括一个或多个单原子层； 在所述第一硅锗超晶格之上形成锗层； 在所述锗层之上形成第二硅锗超晶格，其中，所述第二硅锗超晶格中包括一个或多个硅原子层，所述硅原子层包括一个或多个单原子层。
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