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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利MEMS封装结构和封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114524404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210061811.7，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权MEMS封装结构和封装工艺是由赵龙;姚浩强;李海涛;李兆营;张磊;梁靖设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS封装结构和封装工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及电子封装技术领域，公开一种MEMS封装结构和封装工艺，封装结构包括衬底晶圆和盖帽晶圆，所述衬底晶圆上设有第一热阻层，所述第一热阻层上设置第一绝缘层，所述盖帽晶圆和第一绝缘层之间设置键合层；所述衬底晶圆上在第一热阻层对应位置处开设通孔，所述通孔内填充电极材料形成电流焊电极，所述电极材料与第一热阻层接通。本封装结构可直接通过在电流焊电极中接入电流的方式对热阻层进行加热升温至一定温度，再通过绝缘层将热量传递至键合层上，温度高低可通过电流大小来调控，颠覆传统封装技术中需要采用加热基板系统进行加热的方式，无需对晶圆器件整体进行加热，避免封装结构整体加热对芯片内部器件层造成的热损伤和器件层失效状况。

本发明授权MEMS封装结构和封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种MEMS封装结构，其特征在于，封装结构包括衬底晶圆和盖帽晶圆，所述衬底晶圆上设有第一热阻层，所述第一热阻层上设置第一绝缘层，所述盖帽晶圆和第一绝缘层之间设置键合层；所述衬底晶圆上在第一热阻层对应位置处开设通孔，所述通孔内填充电极材料形成电流焊电极，所述电极材料与第一热阻层接通； 所述MEMS封装结构的封装工艺，采用电流焊键合封装，具体包括如下步骤： S1.在衬底晶圆上刻蚀出通孔； S2.在衬底晶圆的通孔内沉积导电物质形成电流焊电极； S3.在衬底晶圆的电流焊电极端镀金属薄膜层作为热阻层，并将金属薄膜层进行图案化工艺处理； S4.在S3所形成的图案化金属薄膜层上生长绝缘薄膜层，图案化绝缘薄膜层，绝缘薄膜层和金属薄膜层图形化一致； S5.将盖帽晶圆深硅刻蚀出键合环； S6.在衬底晶圆的绝缘薄膜层上沉积键合焊料，并将键合焊料图案化处理； S7.在盖帽晶圆的键合环位置镀键合焊料； S8.给电流焊电极通电，在真空环境下对衬底晶圆和盖帽晶圆进行电流焊键合封装； 所述金属薄膜层为Pt材质，金属薄膜层采用剥离工艺沉积。

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