长江存储科技有限责任公司贾信磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器、存储系统及预充电方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210119196.0，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权存储器、存储系统及预充电方法是由贾信磊;贾建权;靳磊设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器、存储系统及预充电方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种存储器、存储系统及预充电方法，属于存储技术领域。该预充电方法包括：对源极线连接端施加预充电电压；对存储单元堆栈中的各个存储单元的栅极施加电压；其中，对已编程存储单元的栅极施加的电压大于已编程存储单元的阈值电压，对未编程存储单元的栅极施加的电压大于未编程存储单元的阈值电压。此种方法，能够在存储单元堆栈中存在已编程存储单元的情况下，保证掺杂区中的电子以及与选定字线耦合的存储单元的沟道中的电子均被较为充分地吸引至源极线连接端，从而实现对非选定存储串的较为充分地预充电，降低存储单元堆栈中与选定字线耦合的存储单元受到的编程干扰。
本发明授权存储器、存储系统及预充电方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括存储阵列以及与所述存储阵列通信连接的外围电路； 所述存储阵列包括非选定存储串，所述非选定存储串的位线连接端和源极线连接端之间包括选择管堆栈和存储单元堆栈，所述选择管堆栈和所述存储单元堆栈通过掺杂区连接，所述存储单元堆栈中包括已编程存储单元和未编程存储单元； 所述外围电路被配置为对所述源极线连接端施加预充电电压；对所述存储单元堆栈中的各个存储单元的栅极施加电压；其中，对所述已编程存储单元的栅极施加的电压大于所述已编程存储单元的阈值电压，对所述未编程存储单元的栅极施加的电压大于所述未编程存储单元的阈值电压； 对所述已编程存储单元的栅极施加的电压包括第一电压，对所述已编程存储单元的栅极施加所述第一电压的截止时间早于对所述源极线连接端施加所述预充电电压的截止时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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