洛克利光子有限公司余国民获国家专利权
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龙图腾网获悉洛克利光子有限公司申请的专利光电子器件和制造光电子器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114391122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063642.X，技术领域涉及：G02F1/225；该发明授权光电子器件和制造光电子器件的方法是由余国民设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电子器件和制造光电子器件的方法在说明书摘要公布了：一种光电子器件，包括光波导，所述光波导形成在绝缘体上硅晶片的硅器件层中。所述光波导包括半导体结，所述半导体结包括半导体材料的第一掺杂区和半导体材料的第二掺杂区。所述第二掺杂区包含与所述第一掺杂区不同种类的掺杂剂。所述第一掺杂区的第一部分在所述第二掺杂区的顶部上水平地延伸，所述第一掺杂区的第二部分沿着所述第二掺杂区的横向侧竖直地延伸，并且所述第一掺杂区的第三部分作为突出部从所述第一掺杂区的所述第一部分或所述第二部分突出到所述第二掺杂区中。
本发明授权光电子器件和制造光电子器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子器件，所述光电子器件包括： 光波导，所述光波导形成在绝缘体上硅晶片的硅器件层中，所述光波导包括半导体结，所述半导体结包括： 半导体材料的第一掺杂区；以及 半导体材料的第二掺杂区，所述第二掺杂区包含与所述第一掺杂区不同种类的掺杂剂，其中： 所述第一掺杂区的第一部分在所述第二掺杂区的顶部上水平地延伸； 所述第一掺杂区的第二部分沿着所述第二掺杂区的横向侧竖直地延伸；并且 所述第一掺杂区的第三部分作为突出部从所述第一掺杂区的所述第二部分的中点水平地突出到所述第二掺杂区中达约所述光波导宽度的一半，所述第一掺杂区的第三部分具有半圆柱形几何形状。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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