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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利像素结构及像素结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114287060B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980099784.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权像素结构及像素结构的制造方法是由施琛;潘撼;巩啸风;唐样洋设计研发完成，并于2019-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素结构及像素结构的制造方法在说明书摘要公布了：一种像素结构2003及像素结构2003的制造方法，像素结构2003包括：调制栅极组，调制栅极组包括：设置在衬底201第一表面2011的至少一个第一调制栅极PGA和至少一个第二调制栅极PGB，第二调制栅极PGB和第一调制栅极PGA分别被互补调制；以及衬底201，包括：两个载流子存储区域，分别在第一方向上位于衬底201的两侧，第一方向为平行于第一表面2011的方向；以及载流子收集区域202，在第一方向上位于两个载流子存储区域之间，且与调制栅极组接触于第一表面2011，其中载流子收集区域202与两个载流子存储区域的掺杂类型相同，载流子收集区域202与衬底201的掺杂类型相反，载流子收集区域202的掺杂浓度大于衬底201的掺杂浓度。

本发明授权像素结构及像素结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括： 调制栅极组，所述调制栅极组包括： 至少一个第一调制栅极，分别依次设置于衬底的第一表面； 至少一个第二调制栅极，分别依次设置于所述第一表面，所述至少一个第二调制栅极和所述至少一个第一调制栅极分别被互补调制； 以及 所述衬底，包括： 至少两个载流子存储区域，所述至少两个载流子存储区域包括：分别在第一方向上位于所述衬底两侧的第一载流子存储区域和第二载流子存储区域，所述第一方向为平行于所述第一表面的方向；以及 载流子收集区域，在所述第一方向上位于所述第一载流子存储区域和所述第二载流子存储区域之间，且与所述调制栅极组接触于所述第一表面，其中所述载流子收集区域的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度，所述载流子收集区域与所述至少两个载流子存储区域的掺杂类型相同，所述载流子收集区域与所述衬底的掺杂类型相反； 所述载流子收集区域包括： 第一掺杂区域和第二掺杂区域，分别在所述第一方向上位于所述载流子收集区域的两侧；以及 第三掺杂区域，位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间，其中所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的掺杂浓度均大于所述第三掺杂区域的掺杂浓度。

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