芜湖启迪半导体有限公司罗茂久获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芜湖启迪半导体有限公司申请的专利具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111528424.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法是由罗茂久;邢婷婷;钮应喜;袁松;彭强;乔庆楠设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的碳化硅MPS二极管，包括：从下至上叠层设置的阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底及碳化硅N‑外延层；在碳化硅N‑外延层的顶部形成有两个P+注入区，两个P+注入区分别通过两个P+埋层Ⅱ与两个P+埋层Ⅰ的顶部接触，P+注入区、P+埋层Ⅰ的宽度大于P+埋层Ⅱ；在两个P+注入区的顶部设置有两个欧姆接触电极，在两个欧姆接触电极之间设置肖特基接触电极。利用窄的P+埋层Ⅱ连接P+注入区和P+埋层Ⅰ，在外延层内部增加了PN结比例，消除了MPS二极管正向导通时的snapback现象；同时降低MPS二极管从单极性工作状态到双极性工作状态的转折电压，从而使二极管在较低的正向电流下进入双极性工作状态，使二极管的大电流工作温度降低，拥有更高的抗浪涌电流能力。
本发明授权具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有埋层结构的碳化硅MPS二极管，其特征在于，所述碳化硅MPS二极管包括： 从下至上叠层设置的阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底及碳化硅N-外延层；在碳化硅N-外延层的顶部形成两个P+注入区，两个P+注入区的底部与两个P+埋层Ⅱ的顶部接触，两个P+埋层Ⅱ的底部与两个P+埋层Ⅰ的顶部接触，P+注入区、P+埋层Ⅰ的宽度大于P+埋层Ⅱ； 在两个P+注入区的顶部设置有两个欧姆接触电极，在两个欧姆接触电极之间设置肖特基接触电极； P+注入区的宽度与P+埋层Ⅰ的宽度相等，P+注入区的宽度大于P+埋层Ⅱ的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芜湖启迪半导体有限公司，其通讯地址为：241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励