格芯新加坡私人有限公司黎佳俊获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利电阻随机存取存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114079004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110807138.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权电阻随机存取存储器器件是由黎佳俊;卓荣发;陈学深设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻随机存取存储器器件在说明书摘要公布了：本公开一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻随机存取ReRAM存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：第一电极；电介质帽，其位于第一电极上方；第二电极，其与第一电极横向邻近，其中，第二电极的上表面与电介质帽的上表面基本上共面；以及电阻层，其位于第一电极与第二电极之间。第一电极的边缘至少通过电阻层电耦合到第二电极的边缘。
本发明授权电阻随机存取存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 第一电极； 电介质帽，其位于所述第一电极上方； 第二电极，其与所述第一电极横向邻近，其中，所述第二电极的上表面与所述电介质帽的上表面共面；以及 电阻层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一电极的边缘至少通过所述电阻层电耦合到所述第二电极的边缘； 氧清除层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述氧清除层被设置在所述电阻层上；以及 电介质层，其位于所述第一电极和所述氧清除层之下，其中，所述氧清除层直接在所述电介质层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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