日月光半导体制造股份有限公司王缮柏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111123951.4，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权半导体封装结构是由王缮柏;高金利;徐安萱设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体封装结构，利用电镀方式在作为载体的金属片例如铜箔的两端面分别形成金属层，金属层会在加温加压制程中与金属片反应生成金属间化合物IntermetallicCompound，IMC，由于金属间化合物例如CuGa2的熔点高于金属层例如Ga且为固态，使整体形成接合芯片与热耗散结构的热界面材料ThermalInterfaceMaterial，TIM，且使用金属片作为载体也可以符合TIM高度超过100um的需求，与传统高分子材料的TIM比较可提升热导系数约300％以上，大幅度提升了芯片的散热效能。
本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，包括： 芯片； 热耗散结构； 热界面材料，设于所述芯片与所述热耗散结构之间，所述热界面材料包括金属片、设于所述金属片上表面并与所述热耗散结构接触的第一金属间化合物层以及设于所述金属片下表面并与所述芯片接触的第二金属间化合物层； 其中，所述金属片为铜或镍； 其中，所述第一金属间化合物层的第一部分是由部分第一金属层与部分所述金属片反应生成的； 其中，所述第一金属间化合物层的第二部分是由部分所述第一金属层与部分所述热耗散结构反应生成的，或者，当所述热耗散结构表面形成有设于所述热界面材料与所述热耗散结构之间的第一金属化层时，所述第一金属间化合物层的第二部分是由部分所述第一金属层与部分所述第一金属化层反应生成的； 其中，所述第二金属间化合物层的第一部分是由部分第二金属层与部分所述金属片反应生成的； 其中，所述芯片表面形成有设于所述热界面材料与所述芯片之间的第二金属化层，所述第二金属间化合物层的第二部分是由部分所述第二金属层与部分所述第二金属化层反应生成的。
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