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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110854378.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及其制造方法是由鸟海聪志;浜田崇;丸山哲纪;井本裕己;浅野裕治;本田龙之介;山崎舜平设计研发完成，并于2016-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有第一晶体管及第二晶体管，所述半导体装置包括： 衬底； 所述衬底上方的第一绝缘体； 所述第一绝缘体上方的所述第一晶体管的沟道形成区域； 所述第一晶体管的所述沟道形成区域上方的第二绝缘体； 所述第二绝缘体上方的第一导电体； 所述第一导电体及所述第二绝缘体上方的第三绝缘体； 所述第三绝缘体上方的第二导电体； 所述第二导电体上方的第四绝缘体； 所述第四绝缘体上方的包含所述第二晶体管的沟道形成区域的半导体； 具有与包含所述第二晶体管的沟道形成区域的半导体的顶面接触的区域的第三导电体及第四导电体； 包含所述第二晶体管的沟道形成区域的半导体上方的第五绝缘体； 所述第五绝缘体上方与所述第二晶体管的沟道形成区域重叠的第五导电体； 所述第五导电体上方的第六绝缘体；以及 所述第六绝缘体上方的第六导电体， 所述第一晶体管的沟道形成区域包含硅， 所述第一导电体用作所述第一晶体管的栅电极， 所述第二导电体用作所述第二晶体管的第一栅电极， 所述第二晶体管的沟道形成区域具有包含铟、镓和锌的氧化物半导体， 所述第三导电体用作所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一方， 所述第四导电体用作所述第二晶体管的源电极和漏电极的另一方， 所述第五导电体用作所述第二晶体管的第二栅电极， 所述第六导电体用作电容的第一电极， 在所述第二晶体管的沟道长度方向的截面图中，所述第一导电体与所述第二导电体不重叠， 所述第三导电体与所述第一晶体管的源极和漏极的一方电连接， 所述第四导电体与所述第一晶体管的栅电极电连接， 所述第六导电体具有与所述第一晶体管的第一栅电极重叠的区域及与包含所述第二晶体管的沟道形成区域的半导体重叠的区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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