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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利测试电路及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345508B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010138215.5，技术领域涉及：G11C29/10；该发明授权测试电路及电子装置是由萧钧元;唐伯元;陈韦廷;郭峰志设计研发完成，并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试电路及电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种测试电路及电子装置，用以测试一存储电路，并包括一控制器、一图案产生电路、一比较电路以及一暂存器。控制器用以产生多个内部测试信号，并接收一测试结果。图案产生电路根据内部测试信号，写入一测试数据于存储电路的一存储区块中，并读取存储区块，用以产生一读取数据。比较电路比较测试数据及读取数据，用以产生测试结果。暂存器用以存储测试结果。控制器根据暂存器所存储的测试结果，判断存储电路是否正常。

本发明授权测试电路及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种测试电路，用以测试一存储电路，所述存储电路包括一存储区块，其特征在于，还包括： 一测试存取电路，用以接收一第一存取地址、一第一控制指令、一外部测试数据以及一模式选择信号； 一控制器，用以产生一地址信号、一控制信号以及一内部数据； 一图案产生电路，产生并提供一测试数据于所述存储电路，并包括： 一数据产生器，根据所述内部数据，产生一内部测试数据； 一第一选择电路，当一选择信号为一第一电平时，将所述内部测试数据作为所述测试数据，当所述选择信号为一第二电平时，将所述外部测试数据作为所述测试数据； 一地址产生器，根据所述地址信号，产生一第二存取地址； 一第二选择电路，当所述选择信号为所述第一电平时，输出所述第二存取地址予所述存储电路，当所述选择信号为所述第二电平时，输出所述第一存取地址予所述存储电路； 一控制产生器，根据所述控制信号，产生一第二控制指令；以及 一第三选择电路，当所述选择信号为所述第一电平时，输出所述第二控制指令予所述存储电路，当所述选择信号为所述第二电平时，输出所述第一控制指令予所述存储电路，其中所述存储电路写入所述测试数据至所述存储区块中，并读取所述存储区块，用以产生一读取数据； 一比较电路，比较所述测试数据及所述读取数据，用以产生一测试结果；以及 一第一暂存器，暂存所述测试结果； 其中： 所述控制器根据所述第一暂存器所存储的所述测试结果，判断所述存储电路是否正常， 当所述模式选择信号的特征参数符合一第一预设条件时，所述测试存取电路命令所述控制器停止提供所述地址信号、所述控制信号以及所述内部数据，使得所述图案产生电路根据所述第一存取地址、所述第一控制指令以及所述外部测试数据，产生一存取地址、一控制指令以及所述测试数据，并提供所述存取地址、所述控制指令以及所述测试数据于所述存储电路， 当所述模式选择信号的所述特征参数符合一第二预设条件时，所述测试存取电路命令所述控制器提供所述地址信号、所述控制信号以及所述内部数据，使得所述图案产生电路根据所述地址信号、所述控制信号以及所述内部数据，产生所述存取地址、所述控制指令以及所述测试数据，并提供所述存取地址、所述控制指令以及所述测试数据于所述存储电路。

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