英飞凌科技股份有限公司A·巴赫蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利采用芯片嵌入技术的封装天线装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110189880.1，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权采用芯片嵌入技术的封装天线装置是由A·巴赫蒂;曹应山;S·特罗塔设计研发完成，并于2021-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用芯片嵌入技术的封装天线装置在说明书摘要公布了：实施例公开了采用芯片嵌入技术的封装天线装置。一种半导体装置，包括：电介质基底；集成电路IC管芯，该IC管芯设置在电介质基底的开口内部，其中，该IC管芯被配置为发射或接收射频RF信号；电介质材料，该电介质材料位于电介质基底的开口中和IC管芯周围；沿着电介质基底的第一侧的重分布结构，其中，该重分布结构的第一导电特征电耦合到IC管芯；沿着电介质基底的与第一侧相对的第二侧的第二导电特征；过孔，该过孔延伸穿过电介质基底，其中，过孔电耦合第一导电特征和第二导电特征；以及天线，位于电介质基底的第二侧，其中，第二导电特征电耦合或电磁耦合到天线。
本发明授权采用芯片嵌入技术的封装天线装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 电介质芯； 射频集成电路RFIC，被设置在所述电介质芯的开口中并且被电介质材料包围，其中所述电介质材料填充所述RFIC与所述电介质芯之间的空间； 重分布结构，位于所述电介质材料的第一侧，其中所述重分布结构的第一导电特征被电耦合到所述RFIC； 天线，位于所述电介质材料的与所述第一侧相对的第二侧；以及 过孔，与所述RFIC横向间隔开并且延伸穿过所述电介质芯，其中所述过孔的第一端被电耦合到所述重分布结构的所述第一导电特征，并且所述过孔的第二端被电耦合到所述天线或者被电耦合到沿着所述电介质材料的所述第二侧延伸的第二导电特征，并且其中所述第二导电特征被配置为被电磁耦合到所述天线。
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