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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种低触发电压的SCR器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140627B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110378050.3，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种低触发电压的SCR器件及其制备方法是由赵德益;蒋骞苑;吕海凤;严林;王达;彭阳;周凯设计研发完成，并于2021-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低触发电压的SCR器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低触发电压的SCR器件及其制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：于一衬底的表面形成外延层；于外延层中依次形成P型掺杂区、N型掺杂区、P型掺杂区和N型掺杂区；分别形成第一N型注入区、第二N型注入区、第三N型注入区、第一P型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区、第五N型注入区和第四P型注入区，第二P型注入区与第一N型掺杂区、第二P型掺杂区耦接；于外延层中形成隔离结构；于外延层的表面沉积介质层，并分别形成对应每个注入区的接触孔；于接触孔中进行金属沉积，并形成金属连线。本技术方案的有益效果在于：具有较低的触发电压，较强的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性。

本发明授权一种低触发电压的SCR器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，包括： 一衬底； 一外延层，形成于所述衬底的上表面，所述外延层中包括： 一第一P型掺杂区，所述第一P型掺杂区中包括第一N型注入区、第二N型注入区，所述第一N型注入区和所述第二N型注入区之间的距离不超过5μm； 一第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区中包括第三N型注入区、第一P型注入区； 一第二P型掺杂区，所述第二P型掺杂区中包括第四N型注入区、第三P型注入区； 第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区中包括第五N型注入区、第四P型注入区； 第二P型注入区，所述第二P型注入区与所述第一N型掺杂区、所述第二P型掺杂区耦接； 隔离结构，所述隔离结构纵向的自所述外延层的上表面贯穿所述外延层至所述衬底中，所述第一P型掺杂区被所述隔离结构隔离； 一介质层，形成于所述外延层的上表面； 多个金属层，分别形成于每个N型注入区和P型注入区的上方； 多条金属连线，用以使所述第一N型注入区、所述第三N型注入区、所述第一P型注入区、所述第五N型注入区和所述第四P型注入区相连接并引出作为所述器件的阳极，所述第四N型注入区和所述第三P型注入区相连接并引出作为所述器件的阴极，所述第二N型注入区和所述第二P型注入区相连接。

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