弗莱克英纳宝有限公司珍·琼格曼获国家专利权
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龙图腾网获悉弗莱克英纳宝有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011483149.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体装置是由珍·琼格曼;乔佛瑞·杜瑞;夏尼·纳瓦尔设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括界定一个或多个电子元件的层的堆叠的装置，其中该堆叠至少包括：一个或多个半导体沟道；电介质；第一导体图案，所述第一导体图案界定一个或多个耦合导体，其中所述一个或多个耦合导体经由所述电介质电容耦合至所述一个或多个半导体沟道；平面化层；第二导体图案，所述第二导体图案界定一个或多个布线导体，其中所述第二导体图案经由至少所述平面化层中的通孔与所述第一导体图案接触，并且其中半导体沟道区域至少部分地位于通孔区域的外部。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括界定一个或多个电子元件的层的堆叠，其特征在于，其中所述堆叠至少包括： 在一个或多个半导体沟道区域中的一个或多个半导体沟道； 电介质； 第一导体图案，其界定在所述一个或多个半导体沟道区域中的一个或多个耦合导体，其中所述一个或多个耦合导体经由所述电介质被电容耦合至所述一个或多个半导体沟道； 平面化层； 第二导体图案，其界定一个或多个布线导体，其中所述第二导体图案经由至少所述平面化层中的一个或多个通孔区域中的一个或多个通孔与所述第一导体图案接触，并且其中所述一个或多个通孔完全位于所述一个或多个半导体沟道区域的外部，其中所述布线导体延伸穿过所述一个或多个半导体沟道区域。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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