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龙图腾网获悉豪威半导体(上海)有限责任公司申请的专利MicroLED显示面板及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110103713.0，技术领域涉及：H10H29/49；该发明授权MicroLED显示面板及其形成方法是由范纯圣;范世伦设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本MicroLED显示面板及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MicroLED显示面板及其形成方法，MicroLED显示面板包括：驱动晶圆和MicroLED器件；驱动晶圆具有相对的第一表面和第二表面，驱动晶圆临近第一表面的区域分布有驱动电路；第二表面与驱动电路之间设置有多个硅通孔，硅通孔中填充有互连层；MicroLED器件位于驱动晶圆的第二表面一侧；MicroLED器件通过互连层与驱动电路电连接。本发明为一种类BSI图像传感器制程,使高应力的MicroLED器件位于驱动晶圆的第二表面一侧，即使高应力的MicroLED器件远离驱动电路，避免了MicroLED器件例如GaN层的热膨胀等应力直接施予驱动电路造成损伤,进而提高可靠度。

本发明授权MicroLED显示面板及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED显示面板，其特征在于，包括：驱动晶圆和MicroLED器件；所述驱动晶圆具有相对的第一表面和第二表面，所述驱动晶圆临近所述第一表面的区域分布有驱动电路；所述第二表面与所述驱动电路之间设置有多个硅通孔，所述硅通孔中填充有互连层；所述MicroLED器件位于所述驱动晶圆的所述第二表面一侧；所述MicroLED器件通过所述互连层与所述驱动电路电连接； 所述MicroLED器件包括MicroLED晶圆、MicroLED芯片块或阵列分布的MicroLED芯片粒；所述MicroLED器件包括GaN层；所述MicroLED晶圆上包括若干MicroLED芯片，每一颗所述MicroLED芯片的电极分别与所述驱动电路电连接，从而每颗所述MicroLED芯片均能够被驱动；所述MicroLED显示面板还包括：载片晶圆；所述载片晶圆与所述驱动晶圆的所述第一表面键合； 所述载片晶圆中形成有贯穿的引出孔，引出金属层填充所述引出孔并与所述驱动电路电连接；或者再分布金属层覆盖所述载片晶圆的侧壁，所述再分布金属层与所述驱动电路电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人豪威半导体(上海)有限责任公司，其通讯地址为：201611 上海市松江区茸华路211号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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