三星电子株式会社金森宏治获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635483B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010661124.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件是由金森宏治;姜书求;安钟善;韩智勋设计研发完成，并于2020-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件在说明书摘要公布了：提供了一种三维存储器件。该三维存储器件可以包括衬底、单元堆叠、串选择线栅电极、下垂直沟道结构、上垂直沟道结构和位线。串选择线栅电极可以包括下串选择线栅电极和形成在下串选择线栅电极的上表面上的上串选择线栅电极。下串选择线栅电极可以包括N‑掺杂的多晶硅。上串选择线栅电极可以包括硅化物。
本发明授权包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器件，包括： 衬底； 设置在所述衬底上的单元堆叠； 设置在所述单元堆叠上的串选择线栅电极； 垂直地穿透所述单元堆叠的下垂直沟道结构； 上垂直沟道结构，其垂直地穿透所述串选择线栅电极并且连接到所述下垂直沟道结构；以及 设置在所述上垂直沟道结构上的位线， 其中所述串选择线栅电极包括下串选择线栅电极和形成在所述下串选择线栅电极的上表面上的上串选择线栅电极， 所述下串选择线栅电极包括N-掺杂的多晶硅，以及 所述上串选择线栅电极包括硅化物， 其中，所述上串选择线栅电极与所述下串选择线栅电极直接接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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