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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010867759.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件是由李相昊;金恩娥;李基硕;崔宰福;金根楠;安容奭;全辰桓;韩相然;韩成熙;韩昇煜;黄有商设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 器件隔离层，形成在基底中，并且限定在第一方向上彼此间隔开的第一有源区域和第二有源区域； 掩埋接触件，连接到第二有源区域； 第一位线结构，设置在第一有源区域上并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；以及 第二位线结构，在第一方向上与第一位线结构间隔开并且设置在第二有源区域上， 其中： 第一位线结构和第二位线结构中的每个包括在第二方向上延伸的位线堆叠件， 第一位线结构和第二位线结构中的每个包括在第二方向上交替布置的位线接触部分和位线通过部分， 第一位线结构的位线接触部分设置在第一有源区域上并且电连接到第一有源区域， 第二位线结构的位线通过部分设置在器件隔离层上， 掩埋接触件的最低部分距器件隔离层的底表面的高度比第二位线结构的位线通过部分的最低部分距器件隔离层的底表面的高度小， 掩埋接触件的最低部分距器件隔离层的底表面的高度比第一位线结构的位线接触部分的最低部分距器件隔离层的底表面的高度大，并且 第二位线结构的位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中， 其中，掩埋接触件的边界表面包括与器件隔离层交汇的第一子边界表面和与第二有源区域交汇的第二子边界表面， 以器件隔离层的底表面为基准，第二子边界表面总体上高于第一子边界表面，或者以器件隔离层的底表面为基准，第二子边界表面的一部分与第一子边界表面在相同的水平，第二子边界表面的剩余部分高于第一子边界表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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