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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010915052.7，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权制造半导体器件的方法是由李城门;郭玟灿;申宪宗;郑涌植;卢永昌;李斗铉;郑圣宪;池祥源设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷到预定深度，来形成接触插塞。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上形成沿第一方向延伸的有源区； 在所述衬底上形成沿第二方向延伸以与所述有源区相交的牺牲栅极结构； 在每个所述牺牲栅极结构的相对侧在所述有源区上形成源极漏极区； 形成覆盖所述源极漏极区和所述牺牲栅极结构的第一层间绝缘层； 去除所述牺牲栅极结构并在已经去除所述牺牲栅极结构的地方形成栅极结构； 去除所述栅极结构的上部并在已经去除所述栅极结构的所述上部的地方形成栅极覆层； 形成穿过所述第一层间绝缘层以连接到相应一个所述源极漏极区的初步接触插塞； 形成暴露所述初步接触插塞的第一部分并覆盖所述初步接触插塞的第二部分和每个所述栅极覆层的上表面的至少一部分的掩模图案层； 使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分凹陷以形成凹陷区域，来形成接触插塞，其中，所述接触插塞包括第一部分和从所述第一部分向上延伸的第二部分；以及 形成填充所述凹陷区域的接触绝缘层， 其中，所述掩模图案层包括： 第一图案层，所述第一图案层设置在所述栅极覆层上，沿所述第二方向延伸并在所述第一方向上彼此间隔开；以及 第二图案层，所述第二图案层设置在所述初步接触插塞的所述第二部分上，沿所述第一方向延伸以连接所述第一图案层并在所述第二方向上彼此间隔开。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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