三星电子株式会社朴建洙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利发光器件和包括其的显示设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112447919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010895949.8,技术领域涉及:H10K50/115;该发明授权发光器件和包括其的显示设备是由朴建洙;金璨秀;金光熙;张银珠设计研发完成,并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件和包括其的显示设备在说明书摘要公布了:本发明涉及发光器件和包括其的显示设备。发光器件包括:包括多个量子点的发射层、和设置在所述发射层上的电子辅助层,所述电子辅助层将电子传输至所述发射层,其中所述电子辅助层包括多个金属氧化物纳米颗粒,其中所述金属氧化物纳米颗粒包括锌和掺杂剂金属,其中所述掺杂剂金属包括Mg、Mn、Ni、Sn、Al、Y、Ga、Zr、Li、Co、或其组合,其中所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中的所述掺杂剂金属的浓度在从所述纳米颗粒的内部部分到外部部分的方向上增加,或者在从所述纳米颗粒的外部部分到内部部分的方向上增加。
本发明授权发光器件和包括其的显示设备在权利要求书中公布了:1.发光器件,包括: 包括多个量子点的发射层,和 设置在所述发射层上的电子辅助层,所述电子辅助层将电子传输或注入至所述发射层, 其中所述电子辅助层包括多个金属氧化物纳米颗粒, 其中所述金属氧化物纳米颗粒包括锌和掺杂剂金属,其中所述掺杂剂金属包括Mg、Mn、Ni、Sn、Al、Y、Ga、Zr、Li、Co、或其组合,和 其中在所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中的所述掺杂剂金属被包括在金属氧化物纳米颗粒中以具有掺杂剂金属的浓度梯度, 其中所述金属氧化物纳米颗粒的平均尺寸大于或等于3nm且小于或等于6nm, 其中在所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中,所述掺杂剂金属的浓度在从所述纳米颗粒的内部部分到外部部分的方向上增加,或者在从所述纳米颗粒的外部部分到内部部分的方向上增加。
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